Модуль силы ФФ50Р12РТ4 Инфинеон ИГБТ 34мм 1200В удваивает ИГБТ с быстрой канавой/Фиельдстоп

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Infineon
Номер модели:	FF50R12RT4

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1 комплект
Упаковывая детали:	Упаковка в деревянный ящик
Время доставки:	через 25 дней после подписания подряда
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	1000sets

контакт

Подробное описание продукта

ВКЭС:	1200V	Ном ИК:	50А
ИКРМ:	100А	Применения:	Приводы мотора
Электрические особенности:	Низкие потери переключения
Высокий свет:	модуль igbt наивысшей мощности , автомобильное игбт

Инфинеон ФФ50Р12РТ4 известные 34 мм 1200В удваивает модули ИГБТ с быстрыми канавой/фиельдстоп ИГБТ4 и контролируемым излучателем

Типичные применения

• Конвертеры наивысшей мощности

• Приводы мотора

• Системы УПС

Электрические особенности

• Выдвинутая температура Твдж деятельности оп

• Низкие потери переключения

• Низкое ВКЭсат

• Твдж оп = 150°К

• ВКЭсат с положительным коэффициентом температуры

Механические особенности

• Изолированная базовая платина

• Стандартное снабжение жилищем

ИГБТ, инвертор

Максимальные нормированные величины

Напряжение тока коллектор- эмиттера	Твдж = 25°К	ВКЭС	1200	В
Непрерывное течение сборника ДК	ТК = 100°К, Твдж максимальное = 175°К	Ном ИК	50	А
Повторяющийся пиковое течение сборника	тП = 1 госпожа	ИКРМ	100	А
Диссипация полной силы	ТК = 25°К, Твдж максимальное = 175°К	Птот	285	В
напряжение тока Ворот-излучателя пиковое		ВГЭС	+/--20	В

Характеристические значения

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	ИК = 50 а, ВГЭ = 15 в Твдж = 25°К ИК = 50 а, ВГЭ = 15 в Твдж = 125°К ИК = 50 а, ВГЭ = 15 в Твдж = 150°К	Сидеть ВКЭ		1,85 2,15 2,25	2,15	В ВВ
Напряжение тока порога ворот	ИК = 1,60 мам, ВКЭ = ВГЭ, Твдж = 25°К	ВГЭтх	5,2	5,8	6,4	В
Обязанность ворот	ВГЭ = -15 В… +15 В	КГ		0,38		µК
Внутренний резистор ворот	Твдж = 25°К	РГинт		4,0		Ω
Входная емкость	ф = 1 МХз, Твдж = 25°К, ВКЭ = 25 в, ВГЭ = 0 в	Сиес		2,80		нФ
Обратная емкость передачи	ф = 1 МХз, Твдж = 25°К, ВКЭ = 25 в, ВГЭ = 0 в	Крес		0,10		нФ
Течение выключения коллектор- эмиттера	ВКЭ = 1200 в, ВГЭ = 0 в, Твдж = 25°К	ЛЬДЫ			1,0	мамы
течение утечки Ворот-излучателя	ВКЭ = 0 в, ВГЭ = 20 в, Твдж = 25°К	ИГЭС			100	нА
Турн-он время задержки, индуктивная нагрузка	ИК = 50 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГон = 15 Ω Твдж = 150°К	тд дальше		0,13 0,15 0,15		µс µс µс
Время восхода, индуктивная нагрузка	ИК = 50 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГон = 15 Ω Твдж = 150°К	тр		0,02 0,03 0 035		µс µс µс
Время задержки поворота-, индуктивная нагрузка	ИК = 50 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГофф = 15 Ω Твдж = 150°К	тд		0,30 0,38 0,40		µс µс µс
Время падения, индуктивная нагрузка	ИК = 50 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГофф = 15 Ω Твдж = 150°К	тф		0 045 0,08 0,09		µс µс µс
Турн-он потери энергии в ИМП ульс	ИК = 50 а, ВКЭ = 600 в, ЛС = 30 нХ Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в, ди/дт = 1300 А/µс (Твдж = 150°К) Твдж = 125°К РГон = 15 Ω Твдж = 150°К	Эра		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Потери энергии поворота- в ИМП ульс	ИК = 50 а, ВКЭ = 600 в, ЛС = 30 нХ Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в, ду/дт = 3800 В/µс (Твдж = 150°К) Твдж = 125°К РГофф = 15 Ω Твдж = 150°К	Эофф		2,50 4,00 4,50		мДж мДж мДж
Данные по СК	≤ 15 В ВГЭ, ВКК = 800 В ВКЭмакс = ВКЭС - ЛсКЭ ·µс ≤ 10 ди/дт тП, Твдж = 150°К	ИСК		180		мДж мДж мДж
Термальное сопротивление, соединение к случаю	ИГБТ/в ИГБТ	РтхДжК			0,53	К/В
Термальное сопротивление, хэацинк касето	КАЖДОЕ ИГБТ/в ИГБТ λПасте = 1 с (м·) К/λгреасе = 1 с (м·К)	РтхКХ		0 082		К/В
Температура под условиями переключения		Твдж оп	-40		150	°К