Подробная информация о продукции

Домой продукты

1200В к-серия привода силы 62мм модуля ФФ200Р12КТ4 моста инвертора двойная ИГБТ половинная

Наименование марки:	Infineon
Номер модели:	FF200R12KT4
МОК:	1 комплект
Условия оплаты:	T/T
Способность к поставкам:	1000sets

Подробная информация

Описание продукта

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

ВКЭС:

1200V

Ном ИК ИК:

200A

IC:

320A

ИКРМ:

400A

Упаковывая детали:

Упаковка в деревянный ящик

Поставка способности:

1000sets

Выделить:

модуль igbt наивысшей мощности

автомобильное игбт

Описание продукта

к-серия полу-моста 62мм 1200 в, модуль привода силы модулей ФФ200Р12КТ4 инвертора двойной ИГБТ

Максимальные нормированные величины

Напряжение тока коллектор- эмиттера	Твдж = 25°К	ВКЭС	1200	В
Непрерывное течение сборника ДК	ТК = 100°К, Твдж максимальное = 175°К ТК = 25°К, Твдж максимальное = 175°К	Ном ИК ИК	200 320	А А
Повторяющийся пиковое течение сборника	тП = 1 госпожа	ИКРМ	400	А
Диссипация полной силы	ТК = 25°К, Твдж максимальное = 175°К	Птот	1100	В
напряжение тока Ворот-излучателя пиковое		ВГЭС	+/--20	В

Характеристические значения

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	ИК = 200 а, ВГЭ = 15 в Твдж = 25°К ИК = 200 а, ВГЭ = 15 в Твдж = 125°К ИК = 200 а, ВГЭ = 15 в Твдж = 150°К	Сидеть ВКЭ		1,75 2,05 2,10	2,15	В ВВ
Напряжение тока порога ворот	ИК = 7,60 мам, ВКЭ = ВГЭ, Твдж = 25°К	ВГЭтх	5,2	5,8	6,4	В
Обязанность ворот	ВГЭ = -15 В… +15 В	КГ		1,80		µК
Внутренний резистор ворот	Твдж = 25°К	РГинт		3,8		Ω
Входная емкость	ф = 1 МХз, Твдж = 25°К, ВКЭ = 25 в, ВГЭ = 0 в	Сиес		14,0		нФ
Обратная емкость передачи	ф = 1 МХз, Твдж = 25°К, ВКЭ = 25 в, ВГЭ = 0 в	Крес		0,50		нФ
Течение выключения коллектор- эмиттера	ВКЭ = 1200 в, ВГЭ = 0 в, Твдж = 25°К	ЛЬДЫ			5,0	мамы
течение утечки Ворот-излучателя	ВКЭ = 0 в, ВГЭ = 20 в, Твдж = 25°К	ИГЭС			400	нА
Турн-он время задержки, индуктивная нагрузка	ИК = 200 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГон = 2,4 Ω Твдж = 150°К	тд дальше		0,16 0,17 0,18		µс µс µс
Время восхода, индуктивная нагрузка	ИК = 200 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГон = 2,4 Ω Твдж = 150°К	тр		0 045 0,04 0,50		µс µс µс
Время задержки поворота-, индуктивная нагрузка	ИК = 200 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГон = 2,4 Ω Твдж = 150°К	тд		0,45 0,52 0,54		µс µс µс
Время падения, индуктивная нагрузка	ИК = 200 а, ВКЭ = 600 в Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в Твдж = 125°К РГон = 2,4 Ω Твдж = 150°К	тф		0,10 0,16 0,16		µс µс µс
Турн-он потери энергии в ИМП ульс	ИК = 200 а, ВКЭ = 600 в, ЛС = 30 нХ Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в, ди/дт = 4000 А/µс (Твдж = 150°К) Твдж = 125°К РГон = 2,4 Ω Твдж = 150°К	Эра		10,0 15,0 17,0		19,0 30,0 36,0
Потери энергии поворота- в ИМП ульс	ИК = 200 а, ВКЭ = 600 в, ЛС = 30 нХ Твдж = 25°К ВГЭ = ±15 в, ду/дт = 4500 В/µс (Твдж = 150°К) Твдж = 125°К РГофф = 2,4 Ω Твдж = 150°К	Эофф		14,0 20,0 23,0		мДж мДж мДж
Данные по СК	≤ 15 В ВГЭ, ВКК = 900 В ВКЭмакс = ВКЭС - ЛсКЭ ·µс ≤ 10 ди/дт тП, Твдж = 150°К	ИСК		800		мДж мДж мДж
Термальное сопротивление, соединение к случаю	ИГБТ/в ИГБТ	РтхДжК			0 135	К/В
Термальное сопротивление, хэацинк касето	КАЖДОЕ ИГБТ/в ИГБТ λПасте = 1 с (м·) К/λгреасе = 1 с (м·К)	РтхКХ		0 034		К/В
Температура под условиями переключения		Твдж оп	-40		150	°К